【硅晶体中应力的定量分析及薄片中应力的探讨】覃甘明.pdf

目录摘娶一.引言二、晶体光弹蒸本原理及硅晶体的和对压光系数的计算三、实验及讨论 3。硅单晶中应力的定查分析 3。1。1。原理和系统 3。1。2。定量计算3。2。游片应力测量 3。2。1。系统避立 3。2。2。样品罚备3。2。3。测立与分析 3。3。

一、引言随着硅器件性能的不断提高,对硅材料的质量要求越来越。无应力的材料将成为人们制造器件所必不可缺少的。同时,器件白各个制造工艺过程宁。均会在硅宁引入应力。从商影响到器件的性育,可靠性和成品率些别是对于与应力有关的敏感舒件:应力的存在义文会产生一定的衫响.硅材料定主要的半导信材料,对杂质在硅中的行为的研究导系了半导体工业的一次伟大的革命。对于硅宁的杂质。社某种程反上来名.入们已经较好地认识和控例。随着半导你工业特划走超大模模集成心路的发展,人们发现缺陷在器件宁对恭件的性能,可靠性和成品率一面起室要的影响作用。

直拉硅单晶在固化和冷却时严重的温度不均匀和温度梯度以及机械损伤都会在硅单晶中产生应力,从而引起双折射现象,他利用各向异性材料做成的模劈放在平面偏振暗场的光路上。其快慢轴与偏报轴成45 度。在没有样品时,将看到一系列互相平行的、等距的黑色于涉条纹,不同的条纹对应于不同的相位差2nπ(n=0,1。2,)当放入样品后,如果样品是各向同性的且没有应力,则干涉条纹将你持不变。当样品内存在应力时,则干涉条纹将发生变化。用可见光弹下驭璃的于涉条纹作类比实验,根据条纹变化情况(包括条纹的觉窄变化。弯曲方向)来区分出张应力或者是压应力。