【薄SiO2i层的生长技术及电学特性的研究】彭根林.pdf

一摘要二、前言三,干、湿氧氧化生长S10,的生长动力学的回倾四、实验程序 41、工艺:过程 42、Si0.质量的检测 421、Si0厚度和折射率 422、C-V曲丝、国定电荷密度和销离子密度 423、硅中的堆垛层错 424、击穿电压 425、Fow].er-Norahcin隧穿电流 426.低温退火后铝在S10,中的渗透深度 427、HF溶液对Si0的腐蚀遮率五,实验结果及其讨论 51、关于TCE氧化生长动力学的探讨 52、S2中的堆垛层错 53.固定电荷密度 5.钠离子密度和C-V转性 55.

一。摘要随着V工S工集成度的提高,券件的横、纵向尺寸相应缩小,制作高质量的游Sio膜已成为发展VLSI的关键之一.本文对三氯乙烯(TriehloroethyLene,简写为TcE)氧化生长薄sio膜进行了研究,同时用干氧氧化的薄Si0:膜进行比较在实验中,采用常规后退大,长时间低后退火,再氧三种工艺,并对干氧氧化和TCE氧化有关三种工艺的实验片进行了固定电荷密度、C一V特性、纳离子密度、硅中的堆垛层错,FoW2er-ordheim隧穿电流,击穿特性,不同浓度的HF溶液对Sio 的腐蚀速率及低温退火时铝在Si0:中渗透深度等进行了测试、分析和比较,结果衰明:TCE氧化生长的薄S

芯片每 M 256K 6K 1980投产年份图1 集成度与年份的关系绍小器件尺寸也是提高集成度的主要措施之一,从1959年到现在,由于器件尺寸的缩小,使集成度每十年增加8倍.基本理论有三种①恒定电场(CE)理论,②恒定电压(CV)理论:③准恒定电压(qcV)理论.三个理论的共同之处就是:假定器件的模。纵向尺寸同时按同一比例缩小,所不同的就是 CE理论附加了电场定,CV理论附加了电压恒定,9CV理论附加了电压按比例国子S(a>S>I)缩小丽己。亨实上,垂直方向尺寸的缩小,不仅对保证横向尺寸的绍小十分重要。