【阶跃电流法诱导液相外延恒温生长Ga1-xAlxASSip-n结的研究电流诱导液相外延Ga-Al-As-Si系统中Si的两性掺杂行为的研究与利用】黄钊洪.pdf
目 要 一。引 言 二、液相外延过程中IV族掺杂剂的结合 与分凝的基本理论 Si在互一V族化合物半导体材料 中的杂质能级(2》电流诱导液相外延过程中渗杂剂的分凝 S1杂质的补偿作用.三、实验过程与现象 《1)实验装置.2)Si的转变温度的实验 3》阶跃电流法恒温生长p一n结的实验 四。结果与讨论 流过生长界面的电流密度对S1的转变 温度的影响及阶跃电流法恒温生长Ga1一 xAlxAs:S1p一n结的成因 2)电流密度对外延层中有效载流子浓度的影响42 《4》源溶液中xA/xAs的值对 S1的转变温 度的影响
摘 要 结的阶跃电流法不同于远今为止的普通降温液相外延法,因为本文 的方法是使电流诱导液智外延系统在外延生长过程中自始至终保持 恒温的条件下通过调节流过生长界面的电流密度J来生长p一n结 的,这对于光电子卷件面言避免了“逆窗效应”,本文方法还可以 流子浓度.实现结区内陡变的载流子浓度梯度以及调整以达到器件 设计要求的载流子浓度分布、这些,对于获得高效发光都是非常需 要的 应用本文实验系统,首先详细地研究了S主在诱导液相外延 Ga一A1一As一Si系统的两性参杂行为,观察到当源溶液中 电流密度了的增大而下降。
一。引言 近些年来,人们对高效率半导体发光器件怀有极大的兴趣,如 所周知,Ga1一xA1xAs材料在Ⅲ一V族半导体材料中占有越来越 重要的地位。尤其是在光电子器件领域中,它已被用来制造可见光 发光器件,半导体激光器,太阳能电池,单片集成光路以及负自子 亲合力光阴极等多种器件。并且,在制造这些器件时,大多效是应 用液相外延工艺生长的外延层的。因为液相外延Ga一xA1xAs村 料具有晶体完整性好,波长可以调节,内吸收损失小和辐射率高等 优点,如果应用GaAs材料作衬底,还有晶格失配系数极小的特点,这些都引起人们高度重视,特别是最近十年来发展起来的电流诱导 液相外延工艺,使获得的Gal-