[富氮氮氧化硅膜击穿电特性的研究广东省自然科学基金资助项目]刘剑

【富氮氮氧化硅膜击穿电特性的研究广东省自然科学基金资助项目】刘剑.pdf分类号 学校代码:10561 UDC 密级 学 号:199841045201008 华南理工大学学位论文 富氮氮氧化硅膜击穿电特性的研究(广东省自然科学基金资助项目)刘剑 指导教师:冯文修副教授 华南理工大学应用物理系 陈蒲生教授 华南理工大学应用物理系 申请学位级别:工学硕士专业名称:微电子学与固体电子学 论文提交日期:2001论文答辩日期:2001.华南理工大学工学硕士学位论文 3薄膜结构的红外光谱分析 3薄膜的表面形貌分析 3本章小结 第四章实验结果分析与讨论 4薄膜的俄歇电子能谱分析 4衬底温度变化时薄膜的俄歇电子能谱分析 4反应室气体压强变化时的俄歇电子能谱分析 4薄膜的红外光谱分析 4反应室气体压强变化时的红外光谱分析 4衬底温度变化时的红外光谱分析 4薄膜的电学参数与其工艺条件的关系 4薄膜的电学参数与衬底温度的关系 4薄膜的电学参数与反应室气体压强的关系 4薄膜的击穿特性与工艺条件的关系 4薄膜的击穿电压与反应室压强的关系 4.华南理工大学工学硕士学位论文 Abstract SiON,thinfilmformedbylowtemperaturePlasmaEnhancedChemicalVapor Deposition(PECVD)and its electrical characteristics for thin dielectric gate applicationhavebeen studiedinthe thesis.Therelationof thebreakdownelectrical characteristics of the thin film with the microscopic comp
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