[富氮氮氧化硅膜的物理与电学特性研究广东省自然科学基金资助项目]田小峰

【富氮氮氧化硅膜的物理与电学特性研究广东省自然科学基金资助项目】田小峰.pdf分类号 学校代码:10561 UDC 密级 学 号:199741045201006 华南理工大学学位论文 富氮氮氧化硅膜的物理与电学特性研究(广东省自然科学基金资助项目)田小峰 指导教师:陈蒲生教授 华南理工大学应用物理系 申请学位级别:工学硕士专业名称:微电子学与固体电子学 论文提交日期:2000论文答辩日期:2000.华南理工大学工学硕士学位论文 3准静态C-V特性测试 3高频C-V特性测试.3光I-V实验3雪崩注入实验本章小结.第四章结果与讨论4光I-V法测量体陷阱电荷及其分布中心的实验4光1-V法辅助实验4光I-V法实验4不同工艺参数的高频、准静态实验4反应气体比例对电学特性的影响4衬底工作温度对电学特性的影响4反应室气压对电学特性的影响4SiON薄膜的俄歇电子能谱分析.华南理工大学工学硕士学位论文 ABSTRACT In thispaper,themethodofphotoI-V,avalanchehotelectroninjection,the AugerElectronSpectroscopy(AES)analysisandtheinfraredspectrumanalysis electrical characteristics ofnitrogen-richSiON,filmproduced by themethod ofPlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition(PECVD)indetail.
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