[磁头通风槽反应离子刻蚀及表面表征]王宜知

【磁头通风槽反应离子刻蚀及表面表徵】王宜知.pdf分类号 学校代码:10561 UDC 密码 学 号:华南理工大学学位论文 磁头通风槽反应离子刻蚀 及表面表征 王宜知 指导教师姓名:_冯金垣副教授王洪博士 华南理工大学应用物理系 蒋致诚教授 东莞新科磁电厂 申请学位级别:工程硕土专业名称:电子与信息工程 论文提交日期:2000、11论文答辩日期2000、12 学位授予单位和日期:华南理工大学 答辩委员会主席:论文评阅人4线圈及加速极功率对刻蚀的影响 4线圈功率对刻蚀的影响 4加速极功率对刻蚀的影响 4光刻胶面积对刻蚀的影响 第五章结论 参考资料 致谢华南理工人学工程硕上学位论文 Abstract In this paper the principle of RIE(Reactive Ion etching),ICP(Inductive coupledplasma)andcapacitivecoupledplasmahadbeenbriefly introduced.Thedisadvantageandadvantageofthesetwokindsof apparatushadbeencomparedwitheachother.
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