【磁记录位元误码率研究】张森辉.pdf

分类号:学校代号:10561 UDC 密级学号:华南理工大学工程硕士学位论文磁记录位元误码率研究张森辉指导老师:郑学仁教授副导师:苏孝治专家申请学位级别:硕士专业名称:电子与信息工程论文提交日期:2000年十一月论文答辩日期:2000年十二月学位授予单位和日期:华南理工大学答辩委员会主席:论文评阅人

华南理工大学工程硕士学位论文 3用1E-7的当轨误码率来决定最大的位元线密度 3测量轨道密度3位元误码率用以验证在最大KBPI时磁头的动态性能 3当轨误码率与OW,SNR和PW50的关系 3当轨误码率与写覆盖性能(0W)的关系3当轨误码率与半峰值宽(PW50)的关系 3当轨误码率与信噪比(SNR)的关系第四章.位元误码率(BER)的应用.4简介实验设计4实验数据及分析测试条件4测试半径(Radius)与位元误码率(BER)

华南理工大学工程硕士学位论文摘要随着现代信息技术在社会经济、生活中的各个领域越来越广泛的应用,人们获取的信息量日益增长。电脑,做为极其重要的信息载体之一,其突飞猛进的发展近年来十分引人注目,其中最重要也是最直接的表现就是硬盘存储容量的大大增加.一般而言,在存储面积固定的条件下,存在两种途径增加硬盘的存储容量,一是提高轨密度,即TPI(TrackPerInch).另一途径是提高位元密度,即BPI(Bit PerInch)。但由于在一定时期内半导体工艺和磁性材料的局限性,硬盘设计者基本上会多方面考虑,相辅相成以达到最大限度地提高硬盘存储容量。