【多位置换钛酸钡基半导体微观结构及电子输送现象的研究】邢建.pdf
分类号 学校代码:UDC 密级 学 号:199836045201038 华南理工大学学位论文 多位置换钛酸钡基半导体微 观结构及电子输送现象的研究 邢建 指导教师 陈亿裕副教授 材料学院电子材料科学与工程系 申请学位级别 硕士专业名称_微电子学与固体电子学 论文提交日期_2001论文答辩日期 学位授予单位和日期 华南理工大学 答辩委员会主席 论文评阅人.
华南理工大学工学硕士学位论文 2样品的制备配方及工艺说明 2PTCR材料性能参数的表征及测试 2室温电阻率的测量阻温特性曲线的测量 2样品的伏安特性测试 2X射线衍射分析复阻抗测试 2扫描电镜显微结构观察 第三章实验阶段单掺杂F对PTCR效应的影响 3A,B,O三位同时掺杂的作用规律 3寻求低阻化的最佳配方 第四章样品的测试结果分析 4样品的显微结构 4样品的X射线衍射分析 4样品的复阻抗分析 4复阻抗分析原理 4样品的复阻抗测试 4.
摘要 摘要 本论文对多位掺杂取代制备钛酸钡陶瓷PTCR材料,尤其是“O”位掺杂的使 用来降低材料的室温电阻率系统进行了实验研究和理论分析。发现采用传统的电 半导化.但是在A,B位或A,B位同时存在施主掺杂的情况下,“0”位掺杂BaF2 有助于进一步降低钛酸钡基PTCR材料的室温电阻率。BaF掺杂取代“O”位对材 施主掺杂的规律是一样的。从材料半导化的机理上分析,认为BaF掺杂同样存在 着电子补偿到空位补偿的转化。从这一点来说,可以认为BaF掺杂是一种施主掺 杂。BaF掺杂材料的其他电性能如温度系数,耐压强度,居里温度以及居里温区 也都随BaF掺杂的浓度发生规律性变化。