[磁控溅射CuSiO2Si引线的应力研究香港科学基金项目]陈先带

【磁控溅射CuSiO2Si引线的应力研究香港科学基金项目】陈先带.pdf分类号 学校代码:10561 UDC 密级 学 号:19984104421017 华南理工大学学位论文 磁控溅射Cu/SiO2/Si引线的应力研究(香港科学基金项目)陈先带 指导老师:赵寿南教授 华南理工大学应用物理系 申请学位级别:工学硕士 专业名称:材料物理与化学 论文提交日期:2001 论文答辩日期:2001.华南理工大学工学硕士学位论文 第四章Si0/Si与Cu/SiO/Si应力的测量4对SiO2/Si片应力的测量与分析4对Cu/SiO2/Si片应力的测量与分析 4寻找Cu和SiO2对Si衬底引入应力最小的结合点4小结第五章实验结果的理论计算与研究 5多层薄膜/厚衬底结构应力的理论计算5应力的实验值和理论计算结果的比较和分析5内应力和热应力的调整和消除5小结.结论和建议参考文献攻读学位期间发表的论文致谢附录.华南理工大学工学硕士学位论文 ABSTRACT Copperfilmhasbeenappearingasthedown-leadmaterialofintegratecircuit.In filmontheSi(silicon)substrateandtheSiO2/SiflakewithdifferentthicknessofSiO films,andheat them at40o°Ctemperature.Invirtue of the infraredphoto-elastic equipment andSenamont compensationmethod,weget thephoto
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