【硅化物及其在超大规模集成电路中的应用】SPMurarka.pdf
硅化物及其在超大规模 集成电路中的应用 S.P.Murarka著 赵英译 1987年
译者前言 随着集成电路规模的日益增大,器件尺寸必须按比例缩小,线宽也要相应变窄。但由于当前可获得的多晶硅的薄层电阻为30 到400/口,故器件尺寸进一步缩小的优点会被内部互连线的电阻 所抵消。因此,必须寻求合适的替代物,以改进电路的速度.由于硅化物,特别是难熔金属硅化物,具有类似于金属的低 电阻率(约为掺杂多晶硅的十分之一)和高温稳定性,故近年来 对它们的研究兴趣一直在增加着。就译者所知,目前,美国许多 从事超大规模集成电路开发的公司和大学都投入了不少的人力和 物力进行这方面的研究工作,其中尤以WSi,、TaSi,、TiSi和 MoSi的研究进展最快,已经初步达到或接近实用阶段。
金属间化合物的形成一杂质的影响 目录 MOS器件一—栅和内部互连线级的RC延迟 二元相图和金属间化合物的形成 金属间化合物的形成一动力学 硅化物的形成一一实验技术 接触金属化和接触电阻 电阻率的温度依赖性 硅化物的形成热(H)相互固溶性和扩散系数 引言 概论 和速度 C肖特基势垒器件 性质 电阻率