【场效应晶体管参数与代换大全】半导体晶体管参数与代换大全编写组编电子工业.pdf

最新场效应晶体管参数与代换大全《半导体晶体管参数与代换大全》编写组编 Publishing House of Electronics Industry 北京BEUJING

序本书根据国外数家最新版的半导体数据手册编译而成,同时也参考了以往有价值的资料.本书分为参数与代换两大部分。考虑到尽量降低书价,增大实用的信息量,编者在编辑本书时采取了以下几项措施。参数部分所收录的条目主要为设计人员着想,考虑到设计人员在设计电子线路时不会采用已停产的元器件,故参数部分不收录98年以后已停产的元器件,尽量收录新投产的元器件参数。代换部分主要为维修人员着想,考虑到所维修的机器中有可能要更换已停产的元器件,而维修人员又可能难以找到这些元器件,故编者尽可能在代换部分给出性能与这些元器件相似的元器件型号。另外,为了尽量缩短篇幅,在本书中,长的外型代号用数字代表。

Tab短小突出部 t=turet六角二、本书参数部分的“外型代号”一栏数字的意义见本书附录 B.以该栏数字“95”为例,意思是该型号元器件的外型图为附录B 中的图95,通用的代号为“SOT一93”.三、绝缘栅双极晶体管参数意义如下:1.Vces(V(BRCEs)是指集电极一发射极击穿电流(基极一发射极短路).2.lmx(IcMax)是指最大集电极直流电流.3.Pdmx(PDMax)是指最大耗散功率.4.Gfmax(GMax)是指发射极接地时的最大输人电导.5.Vgeth(V(ge)thMax)是指栅极一发射极阔值电压.6.