《电子技术》已归入本站的科技工程资料栏目。页面整理了该资料的基本信息、扫描页示例和数字版本获取说明。
![[电子技术]成立 扫描预览第1页](https://img.cuwen.com/p60/01/358445_01.avif)
- 专题
- 电子技术
- 类别
- 科技工程
【电子技术】成立.pdf电子技术 成立第一部分 电子技术 第一章常用半导体元器件 第一节半导体的基础知识 半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间,其导电性能的明显特点是对温度和光照十分 敏感,即温度越高或者光照越强,其导电性能就越好。特别是在纯净半导体中掺入微量的有 用杂质,半导体的导电性能就会大大增强.半导体的这种导电性能,源自于其内部结构的特殊性。下面简要地介绍一下半导体物质 的内部结构及其导电特性.一、本征半导体 硅和储是用得最多的半导体材料。硅和储的原子在结构上的共同特点是它们各有四个价 电子,都属于四价元素。当把它们制成单晶体时,其原子间排列 整齐而有规律,如图1-1所示。体器件厂通常是在一小块晶片(硅片或锗片)上,采用某一掺杂工艺,在晶片的两边分别形成 P型半导体和N型半导体,它们的交界面处就形成了PN结。PN结是构成各种半导体器件的 基础。(一)PN结的形成 图1-5(a)所示的一块晶片,两边已分别形成了P型和N型半导体。图中“”表示得 到一个电子的三价杂质(例如硼)离子,带负电.“”表示失去一个电子的五价杂质(例如 磷)离子,带正电。由于P区有大量的空穴(浓度大),而N区的空穴极少(浓度小),因此空穴 要从浓度大的P区向浓度小的N区扩散。首先是交界面附近的空穴扩散到N区,在交界面附 近的P区留下一些带负电的三价杂质离子,形成负电荷区。
———— 文字由OCR识别(未校验),可能存在错字;请以原始完整版为准。
🔒 下载高清完整版
解锁价格:39.00 元
支付成功后自动显示下载地址,无需注册,可长期查看。
已经购买过?查询 / 恢复下载权限
完整订单号或支付交易号可直接恢复;也可以输入购买邮箱查询历史订单。问题反馈:cuwen#foxmail.com (#换@)

![[电子技术]第一册 -·上海科技社版](https://img.cuwen.com/p60/01/612631_01.avif)
![[电子技术]第二册 -·上海科技社版](https://img.cuwen.com/p60/01/612630_01.avif)
![[电子技术]第三册 -·上海科技社版](https://img.cuwen.com/p60/01/612629_01.avif)
![[电子技术]第四册脉冲部分 -·上海科技社版](https://img.cuwen.com/p60/01/612628_01.avif)
![[电子技术]·人教社版](https://img.cuwen.com/p60/01/612587_01.avif)
![[电子技术]石小法](https://img.cuwen.com/p60/01/433739_01.avif)