【超大规模集成电路衬底材料性能及加工测试技术工程】刘玉岭冶金工业.pdf

【超大规模集成电路衬底材料性能及加工测试技术工程】刘玉岭冶金工业.pdf

超大规模集成电路衬底材料性能 及加工测试技术工程 刘玉岭檀柏梅张楷亮编著 赵正平审校 北京序 半导体产业是现代电子工业的核心,而半导体产业的基础是硅材 料工业。虽然有各种新型的半导体材料不断出现,但90 以上的半导 体器件和电路,尤其是大规模集成电路(LSI)、超大规模集成电路(VL-SI)和甚大规模集成电路(ULSI)都是制作在高纯优质的硅单晶抛光片 和外延片上的。当前国内外硅材料工业的发展趋势是超微细化、高精 度化、超高密度化和硅圆片的大直径化,目的在于提高VLSI的性能和 降低成本。用于制作芯片的硅圆片,现在直径已达到300mm,预计再 过10年,直径可能超过400mm。这对单晶的制备技术,乃至对整个微 电子工艺及其设备,都提出了更高、更苛刻的要求。影响IC制备中优品率的主因之一,因此了解硅单晶的基本特性是必要的。本章先介绍硅单 晶的基本性质,接着引人导体电子能带结构、半导体及硅单晶光学性质、热性质、力学性质 等.第8章介绍硅单晶的缺陷及其对器件的危害。硅单晶的缺陷是目前硅单晶材料技术中 最广为研究的课题,如何减少及控制硅单晶中的微缺陷,也是各硅单晶材料厂努力的方向.本章将着重于介绍CZ硅晶中最为常见的各种缺陷,随后将介绍点缺陷的生成理论,点缺陷 随着温度聚结形成二次成长缺陷的结构,以及各种微缺陷的特性.第9章介绍硅晶片性质的检验技术。