[微电子器件可靠性]史保华等编西安

【微电子器件可靠性】史保华等编西安.pdf高等学校电子信息类规划教材 微电子器件可靠性 史保华贾新章张德胜编著编者 1999年1月20日 前言 本教材系按原电子工业部制订的《1996年～2000年全国电子信息类专业 教材编审出版规划》,由微电子技术专业教学指导委员会编审、推荐出版。本教 材由西安电子科技大学微电子研究所史保华教授任主编,主审为西安交通大学 本教材的参考学时数为45学时。全书共9章,其主要内容为:概述.可靠 性数学基础,可靠性的定量表征,常用概率分布,可靠性框图及数学模型.半 导体体内及各界面间可能发生的各种失效的物理过程,如热载流子效应,栅氧 击穿,电迁移,静电损伤,CMOS电路的门锁及水汽等的危害.MOS电容发生击穿时注入氧化层中的总电荷面密度(C/cm2)研究Fowler-Nordheim隧穿注入时,陷入氧化层中的空穴密度(C/cm2)样品总数:面电荷密度的电荷数 试验次数.样本数.浓度 到时刻:仍在正常工作的样品数 到时刻:失效的样品总数 本征载流子浓度(cm-2)随机试验中失败(或取得次品)的概率 随机变量的概率 可接受质量水平 面电荷密度(C/cm2):热量 随机试验中成功(或取得正品)的概率:电子电荷 电路产生软误差所需的最小电荷量(临界电荷)固定氧化层电荷面密度(C/cm2)界面陷阱电荷面密度(C/cm2)可动电荷面密度(C/cm2)氧化层陷阱电荷面密度(C/c
———— 文字由OCR识别(未校验)，可能存在错字；请以原始完整版为准。