【微电子器件可靠性】史保华等编西安.pdf

高等学校电子信息类规划教材微电子器件可靠性史保华贾新章张德胜编著

编者 1999年1月20日前言本教材系按原电子工业部制订的《1996年～2000年全国电子信息类专业教材编审出版规划》,由微电子技术专业教学指导委员会编审、推荐出版。本教材由西安电子科技大学微电子研究所史保华教授任主编,主审为西安交通大学本教材的参考学时数为45学时。全书共9章,其主要内容为:概述.可靠性数学基础,可靠性的定量表征,常用概率分布,可靠性框图及数学模型.半导体体内及各界面间可能发生的各种失效的物理过程,如热载流子效应,栅氧击穿,电迁移,静电损伤,CMOS电路的门锁及水汽等的危害.

MOS电容发生击穿时注入氧化层中的总电荷面密度(C/cm2)研究Fowler-Nordheim隧穿注入时,陷入氧化层中的空穴密度(C/cm2)样品总数:面电荷密度的电荷数试验次数.样本数.浓度到时刻:仍在正常工作的样品数到时刻:失效的样品总数本征载流子浓度(cm-2)随机试验中失败(或取得次品)的概率随机变量的概率可接受质量水平面电荷密度(C/cm2):热量随机试验中成功(或取得正品)的概率:电子电荷电路产生软误差所需的最小电荷量(临界电荷)固定氧化层电荷面密度(C/cm2)界面陷阱电荷面密度(C/cm2)可动电荷面密度(C/cm2)氧化层陷阱电荷面密度(C/c