【超大规模集成电路技术基础】李兴电子工业.pdf

高等学校教材超大规模集成电路技术基础李兴sIndustry 北京BEIJING

前言经过长时间地探索与准备,中国超大规模集成电路生产已开始启动,在有十多亿人口的这个巨大市场中,对计算机、互连网、通信、消费类电子产品不断增长的需求必将把集成电路的生产推向高速发展的轨道。此外,集成电路在国防、运输、多媒体等领域中也占有十分重要的地位。超大规模集成电路技术领域是一个高科技领域,在一定程度上代表了一个国家的科技、工业和教育水平,反映了一个国家发达的程度。世界各主要工业国家无一不高度重视这个高科技领域,希望能在这个号称“国力指标”的领域中占有相当的地位.从60年代初第一块集成电路问世以来,集成电路技术一直是处在高速发展着的高科技、高投入、高风险的领域。

5沉积理论总结 6小结与展望5超大规模集成电路中的铝膜.参考文献 5A1/Si接触及其改进5电迁移现像 7超大规模集成电路对图形转移的要求 5物理气相沉积(PVD)等离子体增强刻蚀(干法刻蚀)原理 5 辉光放电的性质(5 溅射物理 7二氧化硅的刻蚀5 溅射沉积膜的生长7 氧的作用 5 射频溅射 7 氢的作用 5 磁控溅射7.