【新型电力电子器件】聂代祚兵器工业.pdf
新型电力电子器件 聂代祚编著 兵器工业出版杜
目录 绪论 第一章结型场效应晶体管 第一节概述 第二节 JFET的工作原理 第三节 JFET器件的物理分析 第四节 截止频率 参考文献 第二章 静电感应晶体管 第一节 SIT的基本结构及特点46 第二节 SIT的基本工作原理 *53 第三节 SIT的特性第四节 双极型静电感应晶体管 参考文献 第三童 静电感应晶闸管 第一节 器件的基本结构及特性 第二节 SITH的工作原理 第三节 静态特性 第四节 动态特性 第五节 高温特性.第六节 常关型SITH.参考文献 第四章 功率MOS场效应晶体管 第一节功率MOSFET的基本结构 第二节MOS结构的性质.
绪论 一、传统电力半导体器件的发展 1948年结型晶体管的发明为今天的半导体电力(功率)电子学的发展奠定了基础。1956年霍耳(R.N.Ha11)等 提出了PNPN开关晶体管的既念,并于1957年由美国GE公 司制造成功商售连续工.作电流为25A,阻断电压为300V的 硅可控整流器(SCR)。从此,半导体由弱电跨入强电领 域。此后,由于平面工艺技术的出现,半导体向两大分支发 展:一支是以晶体管或其他半导体器件组成愈来愈小的集成 电路,为适应微型化的发展,形成以半导体集成电路为主体 的新兴学科-一微电子学.