【超高速化合物半导体器件】谢永桂宇航.pdf
席秉钧薛冶民赵喜庆 超高速化合物半导体器件 副审校:罗晋生
前修言 作者 一九九七年五月于西安 化合物半导体材料以它特有和优良的性质,在超高速微电子学和光电子学中占据了重要 地位。近年来,特别是在超高速低噪声,新性能、新器件方面发展极快,独具优势,大有取代Si 的趋势。近20年来,美、日等国家都投入相当大的精力进行研究,特别是对异质结和超晶格,InP系MISFET等方面,更是你追我赶,把化合物及其器件的研究推向了更新的高潮。我国从“六五”开始开展了化合物超高速器件的研究,特别是“八五”期间取得了长足进步.本书作者希望借国家重视微电子,支持微电子之机,在本世纪末出版本书,为发展我国的 本书共八章。
第三章高输出GaAsFET的设计和特性 2等效电路常数的求出 2噪声系数的测试微波GaAsFET的噪声参数 2微波GaAsFET的噪声特性 2GaAsFET的1/f噪声.