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1990年第二期(总第28期)李大才译 沈鸿才译 刘志清译 郭秀芬译 王德森译.唐世英译 李菲译 苏士菊译 曲远方译 储章生译 肖鸣山译 张传忠译 电子陶瓷译丛 录目 5ZnO一Bi2O一MnO-TiO压敏电阻系统中ZnO晶粒的各向异性晶粒生长周虹译 国际会议资料 2SrTiO系压敏电阻器的特性及应用 6工艺变量对ZnO压敏电阻显微结构和V一1特性的影响 7添加剂对ZnO电阻器电气性能的影响 公司的压敏电阻“TNR”.
SiC变阻器是利用SiC晶界势垒的变阻器,已有长期的历史。1930年到1940年已用作避 雷器的电阻,还作为继电器的火花消除元件进入开发实用阶段,并一直延续到现在。但由于 ZnO变阻器是利用ZnO晶界势垒的变阻器。根据形成晶界层的土要成分的不同,又可分 为Bi系、Pr系和Pb系多种。其中Bi系在各方面得到最广泛的应用,目前95 以上的ZnO变阻 器都属于此类。ZnO变阻器非欧姆特性优异,又有大的脉冲电流容量,因而不但能起稳定电压 的作用,还广泛应用于避雷器的电压控制和脉冲吸收。现已应用于低压(5伏)直流电源的集成 电路保护和1000千伏的超高压送电线路保护,甚至可以说它已活跃于所有的用电领域。
图1SrTiO系压敏电阻器(MFC08D300M)的静 电容一电压特性 高频噪声吸妆功能 前沿早脉冲噪声吸收功能 浪涌吸收功能 自复功能 而且它的压敏特性好,是一种复合功能元件MFC(MultiFunctionceramics)其后再经改进、现 如图1所示,SrTiO系压敏电阻器的非线性指数大,其电流随外加电压的增加而急速增大(压敏特性)。静电容量(电容器特性)在达到1mA电流附近的电压时都几乎恒定不变。另外,如 图中虚线所示,在正常使用状态,基于电压一电流特性的漏电流仅为uA级,同时它还有电容 器功能,因为它的静电容量为Zn0系压敏电阻器的10倍以上。 