【纳米晶气敏材料的合成表徵及纳米晶薄膜栅FET式新型气敏元件的研制】索辉.pdf
单位代号:10183 学号:950827 论文评阅人:三洪广言李铁津 答辩委员会主席:洪广 纳米晶气敏材料的合成、表征及纳米晶薄膜栅FET式 新型气敏元件的研制 索辉 一九九八年十二月 指导教师:赵慕愚博士导师 徐宝琨教授 单位名称:吉林大学化学系 专业名称:物理化学 答辩日期:一九九九年一月二十日 授予学位日期:一九九九年六月二十九日 分类号:0646 密级:内部
2> 9吉林大学博士论文 纳米晶气敏材料的合成、表征及纳米薄膜棚 FET式气敏元件的研制 目录 第一章几种钙钛矿型ABO,复合氧化物纳米晶材料的合成及酒敏特性研究 3LaFeO、LaCoO、LaNiO、LaCosFeosO纳米晶材料酒敏性能比较 3静态电阻3灵敏度与加热电流的关系 1纳米材料的产生与发展状况 1纳米材料的制备方法.
02TEM 2溶液PH值对胶溶的影响 2PEG用量 3灵敏度与选择性 3浓度对灵敏度的影响96 4XRD结果 吉林大学博士论文 2比表面分析 3掺杂La对纳米晶SnO2粉体材料的气敏特性的影响 3掺杂Sb对纳米晶SnO2粉体材料的气敏特性的影响 II 3.