【外电光取样电光微探针研究】李兆桂.pdf

吉林大学硕士论文外电光取样电光微探针研究作者:李兆桂指导老师:贾刚副教授专业:半导体物理与半导体器件物理一九九八年六月

目录第一章前言第二章外电光取样原理 2电光效应 2线性电光效应GaAs晶体的线性电光效应 2GaAs晶体的线性电光调制 2取样技术原理 12 2取样的基本概念取样的物理过程.2取样方法2外电光取样原理 2非共轴式外电光取样系统 2共轴式外电光取样系统第三章微探针模式分析研究 3高空间分辨率的构造机理3传统方法的局限性 3新方法及其可行性分析 3微探针的外形模式理论 3高空间分辨率的需要 3.

官林大学硕士论文第一章前言近年来,高科技电子工业发展十分迅速,尤其是信息产业的高速腾飞,得日常传输与处理的信息量直线上升,因而对电子器件尤其是集成电路的要也越来越高。适应其发展的需要,集成电路正朝宽频带、高集成度、数字化向发展。目前,集成电路的工作带宽已达到200GHz 1),半导体工艺水平内达到0um,而国际先进工艺已达到0um,据半导体工业协会(SIA)公布的业界专家一致同意的发展预测,2001年达到0um,2010年将缩到0μm。