【有机半导体薄膜材料电致发光性质的研究】曹亚安.pdf

提要本文采用子一羟基喹啉铅(A1了)作为有机发公后,TCNAα作为空穴输运后,用Ga和ITO 作为接触电极,制备了Ga/A14/ITo(A型)和 Ga/A13/TcNAα/ITO(B型)夹心求单,双结构的有机薄膜已四件,并测得了两种已四件的J一V、B一V曲线及电致发充谱。用吸收充谱,.么电压谱,循环伏安等方法分析了A1 及TCNAα的张级结构,确定了张级,提出了两种四件的张带模型;用两种刀伴的张带模型合理地解释了了一V、B-V曲线和发谱。在本2作中还发现了两种四件在460nm的篮色发分现象.

2.子一羟基喹啉彩束的反射吸收及光伏响应了于羟基喹淋光致发分么谱特征.第二节一郑基喹啉铅的张级结构么犹响永及墓出特性一.实验 1一羟基喹啉铅的制备 2.物性测试一.结果与讨论/子一羟基喹啉铅的结构及稳定性 2.好一羟基喹啉铅的必谱特性及充优响应了羟基喹琳铅的蕊分特性 4、好一羟基喹铅循环伏要的特性禁带宽度、导、价带张级第二节 TCNAk忽仗特性及于级结构一.实验.二.结策讨论.

前言长期以来发心四件的研究么作一直被人们所重视;特别是篮心四件的研别,正今还是一了难歇。由于篮光巨域的波长短,应用无机半导伴材料受到了一定的限制,具有高带心星子效率的有机材料,高分子聚合物引起人们的注意。从6年代起有机材料的电致发(EL)四件研究2作已经并始[1-3];然而直到如年代有机材料的四件仍然没有械功;原因是驱动电压3,发必效率、亮度都比较低红一7];而在以四件的独字性上很少见列报导.1987年年美国柯达公司 C.W.Tang {8.