[超晶的光致发光光谱和喇曼散射光谱研究]李岩梅

【超晶的光致发光光谱和喇曼散射光谱研究】李岩梅.pdfZni-xCdxSe-ZnSe超晶格的光致发光光谱 和喇曼散射光谱研究 李岩梅 指导教师:池元斌副教授 王立中教授 专业:凝聚态物理JilinUniversity 程,以及在高密度激发下激子与激子的散射过程,并说明超晶 格较体单晶更易出现相空间填充过程.5.对Ⅱ-V族量子阱和超晶格材料进行了室温条件下的 静压光致发光研究。在光致发光光谱中,观察了 ZnoCdcSe-ZnSe应变层超晶格阱层重空穴激子跃迁随压力 变化特性,并得到一阶和二阶压力系数,应用应变理论,计算 了样品的一阶压力系数与实验结果基本一致:6.研究了同一衬底上阱宽不同的三种Zn1-xCdxSe-ZnSe 多量子阱的静态光致发光,在较低压力范围内、比较加压前和 卸压后一周的光致发光光谱,发现荧光的频率发生了较大的蓝 移,蓝移随阱宽增加而减小。JilinUniversity 第一章绪论 1969年美国IBM公司的江崎和朱兆祥 1 首先提出交替 淀积超薄层材料的办法可以实现一维周期势结构,1973年,张立纲等 3]用分子束外延技术生长出了第一个人造半导体超 晶格,经过二十多年的发展,无论是在超晶格材料的生长技术 方面,还是在材料性能的检测及其应用方面都得到了迅速的发 展,可以说是硕果累累.一、半导体超晶格特性 半导体量子阱/超晶格材料及其应用是综台了现代半导体 物理与器件、材料科学及微电子学诸学科中一些最新成就而建 立起来的一个新兴领域,目前生长的超晶格种类很多,如组分 超晶格,应变层超晶格,非晶态半导体超晶格,多元型超晶 格
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