【钨丝掩膜两次质子轰击垂直腔面发射激光器】刘素平.pdf
吉林大学硕士学位论文 钨丝掩膜两次质子轰击垂直腔面发射激光器 刘素平 单位:电子工程系 指导教师:杜国同教授 专业:半导体物理与 半导体器件物理 1995年5月
第一章引言 第二章面发射半导体激光器的结构与进展 2水平腔面发射半导体激光器.52弯曲腔面发射半导体激光器 2垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL8 2面发射激光器进展 第三章垂直腔面发射激光器的谐振腔*3VCSELs结构中DBR的层厚 53低损耗多层介质层的总反射率 第四章钨丝掩膜两次质子轰击结构垂直腔 面发射激光器 54质子轰击和扩锌相结合的垂直腔 面发射激光器 54具有金属反射膜的质子轰击垂直腔面发射激光器 及其阵列 S4VCSELs的串联电阻*4.
使其在多方面广为应用。VCSELs具有的大面积、高密度二维集成列 阵特性使其在高功率激光器、平行光数据处理及光互连等方面占有 独特位置.在光电集成电路中VCSELs能提供面与面之间的信息.波 长1μm或1μm的InGaAs/InP单模垂直腔面发射激光器,由于其 具有动态单模特性而适用于长距离光纤通信系统.低于900nm的短 波长GaAlAs垂直腔面发射激光器在短程通信中可把通道内的串话干 扰减至最小,在光存储器、光传感器、光转换器中也是理想光源.另外垂直腔面发射激光器在激光扫描、激光打印、医疗照相、光学 显示等方面也有其特有的应用潜力.K.