【应变量子阱激光器的理论研究】彭宇恒.pdf

目录提要第一章引言第二章应变和量子尺寸效应对能带结构的影响第一节应变量子阱和应变超晶格第二节应变量子阱激光器的能带结构第三节带边波长的简单确定方法第三章应变量子阱结构激光器的增益特性第一节价带的有效状态密度第二节偏振态矩阵元第三节增益特性第四节线宽增强因子第四章多量子阱结构激光器中的载流子输运第一节电流连续性方程与泊松方程第二节数值计算结果与讨论第五章量子阱激光器结构参数的优化选择.

第一章引言随着科学技术的飞速发展,人类社会已经步人了信息时代,建设信息高速公路已经成为我国光纤通讯领域的一项重要任务,计算机网络将成为实现信息共享的最主要方式。网络技术的不断发展,传输信息量的不断扩大,要求传输速率的不断提高,目前,FDDI高速通讯技术实现了以100Mbps的传输速率运行,但由于ETH正RNET的发展受限于一个物理规律,即数据传输速率与有效传输距离之积为一恒定值,这样,刊用双绞线或同轴电缆只能传输百米以上的距离,而利用多模光纤可使该距离增大到2千米,单模光纤可使传输巨离达到60千米,于是光纤网络便成为网络技术发展的一个必然趋势.

第二章应变和量子尺寸效应对能带结构的影响第二章应变和量子尺寸效应对能带结构的影响第一节:应变量子阱和应变超晶格生长方向衬底 GaAs AlGaAs 图2超晶格示意图天然晶体内的原子或分子排列是严格有序的,整个晶体是由一个个晶胞生实空间的三个方向上周期性地重复堆积而成。1970年,日本科学家江崎 Esaki)和华裔科学家朱肇祥首先提出了刷造人工一维晶体的设想,即如图2 所示,交替生长两种或多种不同的半导体材料,使之具有类似晶格的周期性,并以d为生长周期,这种以d为周期的大晶格被称为超晶格。