【单片集成155μm锁模量子阱激光器的研制】於广辉.pdf
题目:单片集成1um锁模量子阱 与半导体器件物理 激光器的研制 于广辉 指导教师:胡礼中副教授 专业:半导体物理
目录.录目 3单片集成被动锁模激光器(PM-LD)的制备与测试 3单片集成碰撞脉冲锁模激光器(CPM-LD)的研制 第四章InGaAsP1μm行波放大器(TWA)的研制 第二章条形结构的制备 2DC-PBHLD的结构与制备 2DC-PBH-LD结构 2.
第一章前言 构紧凑等优点,非常不便于应用。因此,研制一种新的紧凑高效的超短脉冲 随着MOCVD和MBE等超薄膜技术的不断成熟,基本上能够保证单片 集成器件要求的大面积均匀性 +,尤其是量子阱超晶格技术的发展,使 制备特性优良的锁模激光器件成为可能:另外,由于量子阱的结构特性 5,如:饱合恢复时间短,低色散等都十分有利于锁模激光器的高频脉 冲特性,因而近年来,量子阱激光器的单片集成锁模技术得到了迅速发展,基于长期以来我们制备光电器件的基础、我们研制了LnGaAsP量子阱单 片集成被动锁模激光器(PM-LD)和碰撞锁模激光器(CPM-LD)。