【高速调制inGaAsPInP激光器研究】肖建伟.pdf
吉林大学 博士学位论文
摘要 第一章前言 第二章半导体激光器逆展及高速调制特性研究综述 82半导体激光器进晨概述 S2高速调制半导体激光器研究综述 第三章掩埋新月型激光器(EC)等效电路及速率方程 S3C激光器评介 -18 32EC激光器交直流等效电路模型 第四章高谅调制84小信号这率方程的解及分析 S4光器交流等效电路84理论计算信果及分析 *S4C激光器高速调制实验第五章EC激光兽稳态特性分析 85直流等效电路及参数选取 S5激光器直流特性分析 S5.
第一章前言 最近几年,光电子技术发展十分迅速,半导体激光器的研究工作已进入不断完善 的阶段,开始大规模地进入诸如光纤通信等实用领域,并在实践中不断提出新的课题.从理论上看,光通讯具有极高的调制带宽,这一潜力使得光通讯最终将取代电通讯.从长远讲,相于光通讯由于其极高的带宽和相当高的接收灵敏度而很有前途,但从目 前研制水平来看,半导体激光器很难满足其对线宽的要求,且半导体激光器频率随温 度漂移的系数也很大,在1μmInGaAsP/InP激光器中达5A/C,这些都限制 了半导体激光器在相干光通讯中的应用。