【分数量子化Hall效应】吕天全.pdf
题目:分数号子化 Hall效应 业固体物理 专 作者品天全,指导教师东良恒
页 摘要 自实验上发现分数是子化Hal1l效应现象以 这一a现象,R.Ta0和D.丁.Thouless于1983年提出 一种理论模型(T一T模型)。我的利用了号 出年生号子化Ha系统的有效相至作用所 满足的自洽方程,进而推导出了T一T模型 的 RPA有效相互作用。计算了T一T模型的 一级和二级自能(相对有效相互作用而言)由自能得到了平生分数是子化Hal效应系统 的激发态与基态之间的能陈,由一级自能 得到的能隙.T-T 是 R.Tao 和a D.J.Thouless最 初(1983年)得到的结果。而由二级自能得到 的能院人是我们得到的新结果。
3页 扩展态区 局域 Hall年台 图一 D表示电子的态密度 后来,2 年, D.C.Tsui, H.L.Soirmer和a A.C.Gossard在高迁移率的GaAs一AlxGai-zAs 异质 结样品中发现了一种新的放应一分数寻子 化 Hal1 效应。当 Landau 能级的填充因子 V(Landau能级上的电子教与其简并度之比)取某 些分数值(言,)时,低湿下(小于sK) 强磺场中(大于10T)的二维电子气具有同整 数是子化Hall效应相似的现象,Hal1电导 吉林大学研究生学位论文用纸