【窄台衬底内条形GaAsGaAlAsDH半导体激光器锁相列阵】贾军.pdf
题目:窄台衬底内条形(GaAs/GaAlAs DH) 半导体激光器锁相列阵 专 业半导体物理与器件 作 者贾军
擒要 本文个绍了半导体救光器到阵的发质概论,分析了两类导引在制(增盖导引和折射辛导引)激先器 列阵的性能.仰绍了现有的一些结构.提出并研制 了案台衬底由条形(GaAs/GaMAsDH)激光器到阵获 得了稳定远场双解输出,两醉发敬角为2.cw输 件一般处于高阶超模工作.对测得的结果及产生原 因进行了分析,在对器件进行综合分析后,搓出了 改世的结构。
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