【光调制反射谱】郑锟.pdf

题目:光调制反射谱业:半导体物理与器件物理依粘郑指导教师:胡德宝付教授吉林大学学位论文用纸

第页提要本文测得了GcAs12px材来料自把坐在1ev 围内定温及作下的光调制反射谱,弄对光谱随品载流子浓被、调别光强及处加直流偏您侧七进行了测量和分析。结果发现定温的的光该村料的电调制谱是一样的。当样滋的载一浓被增如时,光着加宽参做变大、信多变强 K时光谱何假方何移动,而是此够动星随们继分是了同们。低温时光谱的加密多极明室,间充谱强被有所增加。有润制充强变化只有光谱的陌被随佣别光强们曾加而变大。光谱状弄引改变。外加在流偏死达到来一他时,老谱帽大。而偶无偏离此在时光谱的中高被闻小,偏同光善的宽多望是了可们。

第2页 E,为调制依用引起的介电蒂夕实郭和虚却们改变.调制技术分处润制如波长调制,偏振调制)和内调制。内调别视施于样品们国期性处等国的引国有温被调制么力调制、电调制心上光调制的。近几年发展起来的远有电子束调制术和双调制技术。施了同的外寄作用于样品能带结构将有引凋的变化。因此反自率随这处界作用们变化也是了同的。对于波长、温和死力调制,之们调制的待果是佳得介也案在一定争体下是能量他一次微分。故称注样调制谱为一次微分谱。而饱调制和光调制的传则是介它书收在一定余件不是能量的三次微:故称这样的调制谱为三次微分谱。