【电子碰撞OF离子低能弹性及激发截面的R矩阵计算】王兵兵.pdf

【电子碰撞OF离子低能弹性及激发截面的R矩阵计算】王兵兵.pdf

电子碰撞0、F2+离子低能弹性 及激发截面的R-矩阵计算 王兵兵 指导教师:潘守甫教授 朱顾人副教境 专 业:原子和分子物理提 要 本文首次报导了 0离子及 F离子在其基组 态能区域电子碰撞弹性反激发的分波截面和 总截面密耦计算的详细结果。如丽预期,在此 能区之内,电子碰撞激发截面展现出丰富的里 象堡共振结构.通过比较 0的(4一S)市 分波及 S°一D)中分波在D和2P两涸值间的截面结案,发现两种截面几乎是完全互补的,并且由量子 专损表达式 得到对 0离子里德堡共振峰从 n=4开始,讨于 F则从 n=6 开始并且 F2t的共振峰个数比 0 的峰个数多。与入射电子能量相关,因此要计算多分波.多能量点时,R一 矩阵比IHPACT 又优越得多.0和由于它们在星云化学和电离层物理 的重要地位早已成为人们十分关注的研究对 碰撞激发截面和床率系数的资料中,仅给出 4s°²D° 跃迁的二倍值以上电子能量的截面 果。而对F²离子,尚无人做过它的电子碰撞 面。形成这种局面的一个基本原因是,在 F基组态的阈能区,将出现众多的里德伯共 峰。除密耦方法以外,过去人们常用的一些 论近似均无法恰当地描写它们;而原本的密 方法和Seaton等的nPACT碰撞代数法由于在计算 始便涉及能量相关量,所以用它们亦难获取 面的全能结果。