[手征介质和Ω介质的电磁特性研究及隐身Ω介质的优化设计]

【手征介质和Ω介质的电磁特性研究及隐身Ω介质的优化设计】.pdf摘要 隐身技术是当代先进科学技术最新成就之一,隐身材料是隐身技术最重要 组成部分,发展新型隐身材料便成为当前一个重要的研究领域.手征介质和Q 介质在该领域存在着应用的可能性,因而也吸引着许多人的注意.当电磁波通过手征介质和Q介质时,由于手征元和Q元结构上的特点,电场和磁场在介质内部会发生相互耦合,表现为介质的本构关系式中出现了一个表征电磁耦合程度的旋波系数(手征参数或口参数),从而增加了对其电磁性 质进行调控的自由度,能够控制其反射率在0到1之间连续变化。因此存在巨 大的应用前景。Basedontheworkmentionedabove,thepossibilityofapplications ofQmediainthedesigningofanti-reflectionmaterialswas investigatedWith the helpof optimization techniques,we have designedtheoreticallythinanti-reflectionQmaterialscoatedonthe metallic surface,whichare efficient working onabroadfrequency band.浙江大学硕士研党生率业论发 第一章引言 自八十年代以来,隐身技术引起了世人极大的兴趣,隐身技术的发展起因 于电子对抗。在现代战争中,电子对抗的技术水平已经达到了前所未有的高 度,越来越成为决定战争胜负的关键因素。为此,各国都在致力于发展先进的 电子侦察和反侦察技术,吸波材料在此领域的潜在应用使之得到了特别的关 注.为了使飞行器及其它军事装备具有更好的反雷达性能,开发宽频、轻质、高吸波性及使用方便(警如涂料)的隐身材料,研究新型吸波机理,已成为当前 隐身技术领域最迫切需要解决的问题。
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