[表面光压SPV法研究]

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专题
表面光压SPV法研究
类别
专题研究
页数
76页
大小
3.79MB

【表面光压SPV法研究】.pdf摘要 本文利甩 T.I.Seidman和S.c.Choo提出的算法,建立了对半导体的表面光电压(SV)进行计算 机模拟分析的有效程疗。利用该程序,本文时 纲进行了如下几个方面的分析之作:(一)分析了在不同表面复合作用下,半寻 体的表面光电后与何质层电荷密度、衬底掺杂 冰平等的函数关家。发现表面复合对所讯号的 影响与衰面空间电荷区的状态及表面电场的大 小有关。表面电场越强,我表面区愈反型,表 面复合的影响越小,表面光电后降低得越少.本工作对感应结太阳电池的设计有直接的拾导 意义.着重研宪了表面复含及注人水平对卯 法测试少子扩散长度结果的影响。Research of Surface Photovoltage(SPV)Method SongJia-tao(DepartmentofElectxonicEngineering,HangzhouUniversity) Abstract Basedon theiterativeschemeproposedbyT.I.Seidman andS.a.Choo,aneffective computerprogram forthe simulationofsemiconductorSurface PhotovoltaicEffect is set up in this paper.43.讨论 44.窦验及其结果 5、同型外延材料的S沁法研究 51.分析模型及其参故 5.计算结果及其分析 多6.结束倍 参考文献
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