[半导体超微粒子的制备及光谱性质的研究]

【半导体超微粒子的制备及光谱性质的研究】.pdf目录 中文摘要 前言 第一部分:超微粒子粒径的测定 第二部分:硫化物超微粒子的制备及光诺性质研究20 第三部分:硒化物超微粒子的制备及光谱性质研究35 第四部分:帝化物超微粒子的制备及光谱性质研究56 参考文献英文摘要摘 要 本文对十二种半导体(IB族金属和Pb与VA族(除氧外)元 素形成的化合物MS、MSe、MTe)超微粒子的制备条件、粒径大 小及光谱性质等作了研究探索,并对由于粒子粒径的减小而引起的 光谱性质的变化即量子化粒径效应进行了一定的理论解释.半导体超微粒子的合成可用胶体沉淀法进行。控制不同的反应 条件可制得较粗(平均粒径>100A)和较细(平均粒径约50A)的超微粒子。低温、低介电常数溶剂等有利于制得极细的粒子,以 此法制得的粒子粒径有一定的分布范围。超微粒子的大小用电镜和 小角X射线散射法进行测定。超微粒子具有与其大块晶体相同的晶 型。得重要。他们发现在cdS超微粒子中,当粒子粒径成小时,其紫外 势发生变化,@的氧化还原电势变得更负(绝对值增加),h+的 氧化还原电势变得更正,e与h+的氧化还原电势必须成对出现(由于静电引力的作用),因此对e”、h+的氧化还原电势不能单 独讨论。因为在小晶体中主要存在着两种影响:①e和h+束缚态 的动能增加.②e、h静电引力(e²/sr)的增加。-h+束 缚态的动能的增加为主。之后,又有许多人(5]-[9 报道了量子 化粒径效应,并对此进行了一定的理论解释。
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