【半导体超微粒子的制备及光谱性质的研究】.pdf

目录中文摘要前言第一部分:超微粒子粒径的测定第二部分:硫化物超微粒子的制备及光诺性质研究20 第三部分:硒化物超微粒子的制备及光谱性质研究35 第四部分:帝化物超微粒子的制备及光谱性质研究56 参考文献英文摘要

摘要本文对十二种半导体(IB族金属和Pb与VA族(除氧外)元素形成的化合物MS、MSe、MTe)超微粒子的制备条件、粒径大小及光谱性质等作了研究探索,并对由于粒子粒径的减小而引起的光谱性质的变化即量子化粒径效应进行了一定的理论解释.半导体超微粒子的合成可用胶体沉淀法进行。控制不同的反应条件可制得较粗(平均粒径>100A)和较细(平均粒径约50A)的超微粒子。低温、低介电常数溶剂等有利于制得极细的粒子,以此法制得的粒子粒径有一定的分布范围。超微粒子的大小用电镜和小角X射线散射法进行测定。超微粒子具有与其大块晶体相同的晶型。

得重要。他们发现在cdS超微粒子中,当粒子粒径成小时,其紫外势发生变化,@的氧化还原电势变得更负(绝对值增加),h+的氧化还原电势变得更正,e与h+的氧化还原电势必须成对出现(由于静电引力的作用),因此对e”、h+的氧化还原电势不能单独讨论。因为在小晶体中主要存在着两种影响:①e和h+束缚态的动能增加.②e、h静电引力(e²/sr)的增加。-h+束缚态的动能的增加为主。之后,又有许多人(5]-[9 报道了量子化粒径效应,并对此进行了一定的理论解释。