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- 专题
- 新型MgAl-Si欧姆接触系统的研究
- 类别
- 专题研究
- 页数
- 88页
- 大小
- 4.55MB
【新型MgAl-Si欧姆接触系统的研究】.pdf浙江大学研究生学位论文用纸P.1 ABSTRACT A new bilayer Mg/Al-Si ohmic contact system by S-Gun magnetron sputteringhasbeen developed.The performances cussedin detailinthisthesis.Theexperimentalresults showthat:a)The newMg/Ai-Siohmic contact system has lower con-tactresistivitythanthatofconventionalAl-Siohmic c浙江大学研究生学位论文用纸P.Ⅲ 目录 前言 第一章述 5 1 一1 欧姆接触电极的基本要求 5 1 一 2 欧姻接触电极的研究及存在的问题 5 1 -3 Mg/AL双层电极的提出 第二章 镁的特性和镁/铝电极 § 2 -1 欧姆接触原理 2 -2 Mg -si 欧姆接触 5 2-3 Mg的特性与 Ms/AM1 电极 节 三 章 M/M 电极制备 2 艺的研究 5 3-1 电极材料的准备 3一2淀积工艺的比较和选择 3 3-3 Mg/a 电极 图形 制备 § 3-4Mg/d1 电极 的 S 枪淀积2艺 § 了-5 Mg/M电极的热处理工 艺浙江大学研究生学位论文用纸P 前 言 在当今电子技术时代,硅半导体器件已渗透到工 农业和人民日常生活的各了领城。各种各样的硅半导 体然件,无论是大功率电力电子器件,还是超大规模 集成电路,要实现其正常功能,常之要求有一个性; 优良的欧姻接触电极.这样的电极首先要求金属电极 和硅丰导体之间形成欧姆型接触。理论上,欧姆接触 要求半导体和金属电极之间的援触不存在少子注入, 在正、反两了方向上的电流一 电压特性不但对称而 旦呈线性关系。突际上,如呆接能部分的电压降远小 于器件体电化降,即接触电限远小于器件的有效体电 阻时,这择的接触可认为是政姻型的。
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