【浙大碩士論文之高頻高壓H-2T功率器件物理模型研究】浙江大學.pdf

【浙大碩士論文之高頻高壓H-2T功率器件物理模型研究】浙江大學.pdf

浙江大学研究生学位论文用纸P1 目录 节一章研究该保题的肾景及其意义 P 1 研究H2T(即 GAT)的功史肾景 -1)万史背果 P 国内外H2T发展水平 P6 I H.Kondo 的 HT(即 GAT,下同) 理论及其局限性-7 1)H.Kondlo 理论概述.-P子 i) H.Kondo 理论的局阳性 -.P9 I HT存在的问题甚多,亟待解决 -P1 1)H2T存在的问题 -P1 i)解决 HPT存在的二十个问题的迫切性及任务的艰巨性 -P4 训功夫不负有心人,HT存在的二十个问题一举解决 节二章HT夹断模型的建立及其应用 -P15 2.浙江大学研究生学位论文用纸 1m ii)VT≥Vp时的Mcb -P39 iv)整尔电压区域的b表达式 -P41 V)一个例子 P4 3《从cbmax在全夹断时取得”的征明及半栅间距D的优化 -P42 i)《从cbmx在全夹断时取得的征明— -p42 ii)半栅问距D的优化一 -P43 iil 从chmax =?p44 3.关于耐压因子从b 的讨论 P45 3.HT集电结击穿电压放大因子,从cbo(忽略寄生管) 1)从bo的定义及其与从c的关系 -P i)cbo实用表达式 -P48 ii)Mlcb的应用一 -P A.浙江大学研究生学位论文用纸Py i) 夹断刚发生时从α。的行为—从在全夹断时取别极大值 P89 iv)外加电压充分增大。的极端行为(外推)- -P90 Va的上下限- -P90 vi以a=N 2esVce 为参数时儿a。随结构参数.外加电压 的变化曲线 P91 vi) 以 Y= 为参数时La。随外加电压.夹断电压的 变化曲线 P92 vii) 从a。模型与 H.Kondo 之从因子的比较 - -p93 Ma。比H.Kondo 乏从=exp(2D)-1 更全面.谁确 充分地反映H²T器件的基区屏蔽欲应 4.从(α。