[用于制备高亮发光二极管的温差液相外延技术研究]

【用於制备高亮发光二极管的温差液相外延技术研究】.pdf浙江大学研究生学位论文用纸 P/用于制备高亮秽发光二报管的 温差液相外延技术研究 高亮化是目前发光二极管的一个很重 要的发展方向,温差液相外延技术由子生长 温茂恒定,制得的外延层与普通降温法外延 层相比,具有晶格缺陷少、组分均匀等优点,且能实现批量连续生长,因此是制备高亮秽 红色GaAA发光二报管管芯的最佳技术,但该 技术存在的严重问题是外延层层厚普遍不均 匀。本文首先综述了高亮受发光管的技术现 状和趋势,叙述了温差漫相外延的理论和实,验装置。浙江大学研究生学位论文用纸 P Researchoftemperature difference LPEtechnology formakinghigh brightness LEDs ABSTRACT Themostimportanttask inthe developmentofLED technologyistoincreasethebrightness.Thetemperature difference method LPE(TDMLPE)is the most suitable tech-nologyfor makinghighbrightnessGaAlAs LEDsdue浙江大学研究生学位论文用纸 P 方法。用传统的降温 LPE研制的 GaAL小s LED亮 度为1000.1500毫烛光,而用温差LPE研制成 的6aAAsLED亮皮最高达10000毫烛光,下面我 们分GaALAs高亮度发光管和液相外延技术二 方面来详细叙述.二.GaAAs高亮度红色发完二极管 发光二极管的亮度主要取决于材料的内 量子效率、四件结构及封时出光率等因素,内量子效率与材料的质量和性能密切相关,主要受晶格缺陷、杂质能级和浓度等因素的 影响.红色发光二极管亮度的提高经功了材料、器件结构、管芯制作工艺等方面的改进。
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