【高阻硅掺金缩短少子复合寿命研究】.pdf
浙江大学研究生学位论文用纸 P.目录 Abstract 摘要 第一章选题依据 前言 多光导开关机理33光导开关的几项重要参31Au=Si缩短复合寿命意义第二章金在硅中的性质 2.金在硅中的能级位显多红2金浓度对硅电阳率的影响多23金浓度对少了寿命的影响324金车硅中的扩散机理(8t) 5金在硅中的国溶度第三章高阻硅掺金技术关键及 Cw-co激光液导扩金理泡3高阳硅掺金技术关键多3常规扩金方法比较333激光湾导化学掺杂的发展3.
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浙江大学研究生学位论文用纸P.I 摘要 大功率s;光导开关,作为一种高速度,大 功率的羊导体器件,因其各神优越的性能,近 年来倍受垂视.本文着至论述用cW一cO2游光诱导扩金新工 艺,在提高Au:S;光导开关的愿座方由所作的工 作。文章首先闻明了硅修金2作的目的和意义,第二章介召了金在硅中的性质。在第:章中.分祈了高阻硅修金的难点,并提出月氯化金涂 覆cW-Co激光诱导扩金2艺,对硅片施行Au的 至修杂。第四,第五章转洋细地介召了实验的 准备作,2也过程及取得的成绩,我们采用 CW-cO激光诱导扩金法:人达到了硅中超固溶度修金效果,便片 少子寿命由80us降到130ns 2.