[新型光电子光源器件电场分布特性测试研究]

【新型光电子光源器件电场分布特性测试研究】.pdf浙江大学研究生学位论文用纸P 目录 第一章绪论 一、本课题研究的目的和意义 二、本课题研究的发展和现状 三、本课题的主要内容 第二章连续波电光检测法 一、连续波电光检测法的基本原理 二、实验装置设计 三、测量结果的数据处理.第三章GaAs/GaA1A8双异质结LD的电场分布测试 一、引言 二、半导体徽光器电场分布的计算机模拟 三、实验装置 四、实验测试结果及讨论 第四章GaAs/GaA1AB发光管列阵的电场分布测试 一、概述 二、所测样管简介 三、GaAs/GaAlAs发光管列阵电场分布的测试四、实验结果讨论浙江大学研究生学位论文用纸P Abstract Thie paper introducega newnondeetructivemethod Continuoug WaveElectrOptic Probing(CWEOP),whichwehaveapplied to dentect the electrical field distributionofsemiconductorlaser dicde、GaAg/GaAlAsLED array and GaAs/GaAlAe DH array.浙江大学研究生学位论文用纸P 连续波电光检测法虽然提出时间不长,但短短几年已取得了许多实质性的进展:1986年4月最早提出连续波电光检测法,对GaAs共平面波导的电场分布进行测量并同计 算机模拟分析比较.1987年4月c2探测GaAs半绝缘表面特性,为该方法应用于材料分析 杂GaAs/GaAlAs异质结表面特性,首次将材料的均匀性同电场以同一斜率下 降这两个概念等同起来,为测量材料均匀性提供手段.1990年9月cs3r6探测了 LiNb03定向耦合器样品的内部电场分布,把连续波电光检测法应用于LiNb03材料制成的 光电器件,且采用反射与透射光路,背射与端射两种入射方式,拓宽了连续波电光
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