【磷化镓发光二极管外量子效率的提高及液相外延中镓熔体重复使用研究】.pdf

浙江大学研究生学位论文用纸P 摘要本文对影响GaPLED外量子效率的几个因素进行了系统的研究。从测量GaP纯绿LED的电致发光谱和深能级表明:不故意掺N的GaP中0 和Vp是引起近红外发光和深能级的原因,影响纯绿发光的效率。GaP:N黄绿LED的光致发光谱和PN结附近N的分布的测量表明:只在PN结附近掺N和便高浓度N位于PN结附近可获得高效率的发光。LED管芯表面化腐实验表明:LED管芯表面的沾污和机械损伤会影响器件的发光效率和电特性。用碱性KFe(CN)。化腐表面可使外量子效率提高,但长时间的化腐会使管芯的化学损伤增加,使效率降低。

浙江大学研究生学位论文用纸 P.Ⅲ 目录综述第一章 LED的发光原理及外量子效率 1 载流子的注入 1 GaP辐射复合) 带间复合 2) 杂质与带的跃迁 3) 施主-受主对的复合 4)自由激子的复合 5) 中性施主束缚的激子的复合:6)等电了陷阱俘获的激了复合 1 GaP中的无辐射复合 1) 俄歇过程 2) 非发光复合中心.3) 多声子过程和共振转移,1 LED的外量子效率.1) 注入效率.

浙江大学研究生学位论文用纸P.V 4 表面损伤对LED光通量及电特性的影响 4 表面损伤对LED的I-V特性的影响 4 结果讨论第五章 LED中Ga熔体的重复使用研究 -57 6 实验过程:5 杂质含量的测试:5 结果讨论结束语.致谢参考文献.