[半导体光学性质]·上海科技社版

【半导体光学性质】上海科学技术.pdf鲍友恭何宜生等 0414465 半导体光学性 T.S.莫斯著T.S.莫斯 1958年9月 序言 近数年来,在科学研究和工业生产方面,有志于从事半导体工 作的目盆广泛,从而发表的有关半导体各方面的苦也不断增加,自前这方面的文献已很多,急须整理汇,得以显示已取得的成 有关半导体的书籍尚较少,而且偏于一般叙述,现在某些内 容已有新的发展,更须专門书籍进行详細介绍,为此,作者了这 本书首先百分之四十部分探讨了导电媒质的光学性质的理 、吸收及发射过程、光学常数的内在关系、磁光效应以及所有内光 电效应,本书其余百分之六十介貂了許多最常用的半导体的性质,半导体的技术,随着科学研究工作的加速和发展,表现出日新 月异,因此本书内容应力求新颖,作者不遗余力尽力满足这项S3 S3 SS4光电磁效应 4光机效应或光动势 4p-n结中的光效应 5法拉第效应回旋加共振 5振荡磁光效应 6.半导体辐射的发射 6复合幅射 复合幅射的光譜分布 間接和直接的复合 場致发光.光电发射 半导体的热幅射发射 透射和吸收 7折射率 7光效应 8.
———— 文字由OCR识别(未校验)，可能存在错字；请以原始完整版为准。