【模拟集成运算放大器和电源稳压器】上海科学技术情报研究所上海.pdf
模拟集成 运算放大器和电源稳压器 上海斜学技术情报研究所
上海元件五厂特性应用组 常州半导体厂孙和璧 北京无线电器件厂易明 吴宪平(执笔)北京航空学院周宁华 南开大学物理系半导体厂 中国人民解放军成字一二八部队三二组.复旦大学物理系 上海师范大学物理系半导体元件组 目录 1.FC3集成中增益运算放大器的设计国营八三三一厂技术组 3.低温淀积及其在运算放大器工艺中的应用国营八七八厂柳兴木 5.通用运算放大器BG303的设计分析北京无线电器件厂易明 11.集成电路的功率管设计考虑浙江大学无线电系叶铭陈健 6.
V=+15V T: 输出 VsE 15V 20kR4 B1s 30k如图2所示,对于T3、T所组成的复合差分级的左半,为了给 T提供反向电流的通路,通常可在T:的发射结上跨接一个电阻,且所需的电阻R数值很大。这是因为当温度升高时,三极管本征 激发加强,T的反向漏电流Icnos增大。从图2可看出,IcBo和I3 方向相反。如果没有电阻B,则IcBos的增大,务必使Ie减小。面 Ie是控制T的发射极电流的,现在IcBo使I减小,也即由于 IcBos的存在,可以使T对T:的控制作用减弱,甚至不起作用.这种情况在高温或空载时更加严重。在高温时,IoBo很大.