[金属-氧化物-半导体场效应晶体管电路设计]·科学社版

【金属-氧化物-半导体场效应晶体管电路设计】科学.pdf毛主席語录 打破洋框框,走自己工业发展道 路.外国有的,我们要有,外国没有 的,我们也要有.对于外国文化,排外主义的方针 是错误的,应当尽量吸收进步的外国 文化,以为发展中国新文化的借镜.盲 目搬用的方针也是错误的,应当以中 国人民的实际需要为基础,批判地吸 收外国文化。体集成电路的设计诸问题.全书共分六章.第一章为引言.第二章和 第三章阐述了金属-氧化物-牛导体器件的工作原理,推导出器件的基 本方程并介绍了设计金属-氧化物-牛导体集成电路所必须的基本知 识.第四章讨论了金属-氧化物-牛导体器件在电路中的瞬态响应.第 定出了设计原则,并列举了一些实际的金属-氧化物-牛导体数字集成 电路.第六章简要谈到金属-氧化物-牛导体器件在线性电路方面的应 用.成电路的设计、制造方面工作的工人、研究人员和有关专业的师生参 考.本书根据1967年美国出版的《MOSFETinCircuitDesign》(RobertH.Crawford著)一书译出.目录 符号表 i 第一章MOS场效应晶休管入门11 MOS的工作原理2 特性曲线13 数字电路14 速度15 互补结构1 MOS工艺展望第二章 工作原理21 定性分析22 定量分析2 國电压的附加考虑24 MOS方程和器件符号的总结第三章 MOS特性及其与方程的相互关系31饱和区32 三极管区33 迁移率第四章 瞬态响应41 截止频率42 MS的开关
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