[专题文献译编]中国科学技术情报研究所北京

【专题文献译编】中国科学技术情报研究所北京.pdf前言 近年来半导体技术的发展异常迅速,半导体在科学研究和国民經济中的重要性日益显著,我們特此書,供生产和科学研究人具参考。此書系选自近两三年来苏联、美国、英 国、德国,日本等国有关半导体材料制备的文献辐辑而成。由于时間仓促,錯会有不少,請讀 者指正。牛导体材料制备丛 CRYSTALLNESL1O 图1预熔Si品体的装證图解 JARTZ FURN Argon QUART2 3-4Cu.Ft/HR3-4只/小时 CryotallineSiliconAdded—加人晶状硅 QuartzFunnel—-石英润斗 1/ODQuartz-石英外径1/1ODx13Long-外径1×长13Walto厚-Cyl movement 圈运动 Coil-圈 Diam.牛导体材料制备澤丛 时,在区域熔炼中,每立方血来Si就将近有10个硼原子可能溶解。所柔用石英中的B浓度数 量级为每一百万分之十。在实际应用中价达到过电导率超过800欧姆厘米,或载流子少于每立方 就能肥石英和熔融Si之間的反应持在最低的程度.除去由石英所引起的B的沾染同题之外,在石英仪器中熔化的Si还含有一些氧。在这方 面,用石英区域精炼的Si与其他程序,例如浮置区域,所获得的材料有所区别。假如需要含氧 总铭 1.论逃了在薄壁石英中区域精炼Si的方法.2.区域精炼硅改进了寿命.3.通过区城提純之后,在一锭内或一批锭内Si的电导率比较更一致。剩余杂贺的行为类似 B 4.
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