【上海电子学会1963年年会论文选集】上海科学技术情报研究所.pdf

本验文集选股了上海市电子学会电子器件专业組、微波技术专业組1963年年会宣的一部分文,共16篇:包括空技术3篇,电子管測赋1篇,半导体器件制造及测赋5篇,微波理与技术5篇,微波元件加工工艺2篇。可供无电电子学有关专业技术人员及高等学校师生参考。

目录电子器件超高具空热阴极电离规中自发X射线效应的消除华中一旋质谱计中的离子弹道潘孝仁、楊惠新一种新型结构的充油压缩式真空规华中一、蔡祖泉等以噪声法检验氧化物阴极的活化程度赵保經、楊智民上海邮电器材厂面结型硅两极管制造工艺研究室元件组硅面结型合金结两极管制造中硅晶体产生裂纹的问题季正夏绪合金结、合金扩散结及p-n*-n-D型晶体三极管低频h参数的溫度关.

i=i=lip从式可见,这也就是要减弱或消除管内自发X射线的影响,即i在i。内所占的百分数必须尽可能减小,从而满足:Piep>kie或 Ip>k下文将简单回顾一下价被采用的根据这个原则的一些消除自发文射线影响的对策,加以简单的评论,并提出我们自已的方案和实验结果.二、对现有方法的论现有的方法大概有如下几种.Lander,Conn-Daglish(等的各种设计,而以Bayard-Alpert式(BA规)优点最多,也最常用,因而已成为超高真空测量中的经典量具。它的文射线威受量为普通热规的0 ,因此理论测量下限可定为1×10-毛。