【半导体器件及其应用论文集Ⅲ】科学.pdf

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半导体器件及其应用 文集 Ⅲ 9.A.费多托大 李锦林陈一 严仁惊高宗仁 成众志李錦林校 大学籁 圆书館目 帐 硅的若干性质及其应用 B.M.图奇凯維奇 特高频点接触型检波器的整流接触参数的确定法 Φ.C.罗辛H.E.斯卡伏尔朵娃 1O.①.索科罗夫 二极管紅外綫調制器 IO.И.鳥哈諾夫 合金扩散法半导体三极管的频率特性.M.M.蔬莫赫瓦洛夫 H.C.斯皮里多諾夫 具有分布参数的华导体三极管的率特性 B.I.阿朗諾夫 HO.A.塞尔 应用功率半导体三极管的若干周题 C.T.馬多揚 HO.И.柯湟夫 測量面接合型三极管h参数的复用仪 B.E.巴杜拉 测量面接合型三极管α的仪器.B.H.皮尔沙可夫 П.A.波波夫 特性曲仪脉冲形成部分的研制 B.硅的若干性质及其应用 B.M.圖奇凱維奇(TyuReBHu) 近五年来,电訊号放大器和交流整流器等半导体器件有了蓬 勃的发展,由于少数载流者注入現象的发现,电子一空穴結理的研讨以 及发明了制备超高純单晶体的方法才有可能获得这种发展.制成的器件具有大家熟知的許多优异的特性,它的体积 小、經济、耐用、机械性能稳固.这些特性,再加上若干其它性能使 得器件在解决一系列的技术問题方面成为无可替代的了,还在不久以前,人們为放大器的应用范围局限于数量级 为一百或几百千赫的较低率,现在我們知道,根据器件作用的 物理原理看来是充許制成几百兆赫甚至几千兆赫的半导体放大器 的．暂时的障碍只是工艺上的困难,这些