[微电子技术基础双极场效应晶体管原理]

【微电子技术基础双极场效应晶体管原理】.pdf高等学校电子信息类规划教材 全国电子信息类专业“九五”部级重点教材 微电子技术基础 一双极、场效应晶体管原理 曹培栋编著 亢宝位主审 PublishingHouse ofElectronics Industry 北京BEIJING原电子工业部教材办公室 为做好全国电子信息类专业“九五”教材的规划和出版工作,根据国家教委《关于“九五”期 间普通高等教育教材建设与改革的意见》和《普通高等教育“九五”国家级重点教材立项、管理 办法),我们组织各有关高等学校、中等专业、出版社,各专业教学指导委员会,在总结前四轮规 划教材编审、出版工作的基础上,根据当代电子信息科学技术的发展和面向21世纪教学内容 和课程体系改革的要求,编制了《1996.2000年全国电子信息类专业教材编审出版规划》.本轮规划教材是由个人申报,经各学校、出版社推荐,由各专业教学指导委员会评选,并由 我部教材办商各专指委、出版社后,审核确定的。录目 1平衡PN结内建电场和内建电势耗尽近似 1准中性近似 1空间电荷区的电场和电势分布 1突变结空间电荷区的电场及电势 1线性缓变结空间电荷区的电场及电势 1.
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