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- 专题
- 高压硅堆技术
- 类别
- 科技工程
- 页数
- 269页
- 大小
- 16.63MB
【高压硅堆技术】.pdf729093 高压硅堆技术 天津师范学院物理系编 金堂之版社 杭 國防前言 高压硅整流堆(简称高压硅堆)是在本世纪五十年代末、六十年代初发展起来的一种新型高压整流元件。它与先前的 旋转式机械整流器、真空二极管及硒堆相比,有许多独特的 优点。如整流效率高、体积小、重量轻、使用寿命长、机械 强度高等。所以,在短短的近十几年中,不论是在元件的制 造方面,还是在元件的应用方面,均得到了迅速的发展。在 我国,经过伟大的无产阶级文化大革命,广大工农兵群众在 毛主席革命路线指引下,在高压硅堆技术方面,积累了很多 宝贵的实际经验。3-46-61-64目录 第一节能级、能带.电子、空穴的统计分布规律半导体中载流子的浓度 非平衡载流子,寿命,复合中心 电子和空穴的扩散与漂移 连续性方程与泊松方程 二极管的整流特性 萧克莱公式、正偏压二极管的等效电路 PN结的反向电流密度 PIN二极管的正向压降 PIN二极管正向压降的一般特性 高注入时的正向压降 附录PIN二极管在高注入时正向压降的计算公式 PN结的体雪崩击穿与二极管的反峰压 雪崩击穿过程的定量化 空间电荷区的宽度与场强 S1.
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