【半导体物理实验】.pdf

半导体物理实驗刘士毅黄永宝吴伯

目录实驗鳍的霍耳系数和电导率的測量.实驗二鳍的温差电动势率的測量实驗三用非稳定态方法测量硫化的热导率实驗四鳍中少数载流子的扩散長度、寿命和漂移迁移率的測量实驗五用光注入法测量少数载流子的扩散長度实驗六半导体光电实驗的前言实七氧化亚铜的吸收光譜实驗八氧化亞鋼的光电导的光譜分布实驗九氧化亚光电导流子弛豫时間的测量实十硒光电池的制造和測量实驗十一的光磁效应和非平衡载流子复合寿命的测量实十二电致發光現象的观察.实十三磷光体的加热發光

实一一鳍的霍耳系数和电导率的测量一、目的测定的霍耳系数和电导率,抖由此确定載流子的符号、濃度、霍耳迁移率以及的禁带寬度.二、原理 1.基本原理从霍耳系数和电导率的测定中可以确定半导体的类型、载流子的濃度和霍耳迁移率、禁带寬度、杂質密度和杂質能毅的位置(由于时間的关系,本实对后二者不进行計算)。这些对于半导体电学性質的研究具有重要的意义.一塊寬为a厚为b的半导 a 体(圖1),若在它的方向上有均匀的电流流过,在方向上加一磁場B,那么,在这塊半导体的AB两点間(即？方向上)产生一电位差VA-Vr 这現象叫做霍耳效应。我們給 1.