本页收录《三维有序纳米硅阵列及新型电子薄膜的输运性质研究》,资料类别为科技工程资料。本页展示资料概况及部分扫描内容,同时提供数字文件获取信息。本数字文件共16页,文件大小约0.89MB。
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- 专题
- 三维有序纳米硅阵列及新型电子薄膜的输运性质研究
- 类别
- 科技工程
- 页数
- 16页
- 大小
- 0.89MB
【三维有序纳米硅阵列及新型电子薄膜的输运性质研究】王立.pdf学 号:DG9822029 论文答辨日期:2000年11月2日 指导教师:黄信凡(签字)摘要 纳米硅由于其独特的优越性使其在硅基集成光电子和纳米器件等方面具有巨 大的潜在应用前景,正日益受到广泛重视,成为当今凝聚态物理中的研究热点之 一。与此同时,各类具有独特性质的新型电子薄膜材料不断涌现,研究其载流子 输运过程和散射机制也是当前凝聚态研究领域的重点.为制备具有良好发光特性和器件应用价值的纳米硅材料,关键在于:制备手 段与硅平面工艺相兼容.对纳米硅颗粒尺寸的精确控制和表面钝化.实现对纳米 硅颗粒空间分布的人为控制,即纳米硅可控图样的形成。Abstract Nanocrystalline silicon has attractedwide attentions due toits potential application in thefuture silicon based integrated optoelectronics and nanodevices.Meanwhile,the investigation on the mechanism and processes in the new-typed electronic thin films with unique electricalpropertiesis als
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