[介电式非致冷红外焦平面阵列的基础研究]刘世建

【介电式非致冷红外焦平面阵列的基础研究】刘世建.pdfADissertationSubmittedinPartialFulfillmentof theRequirement for theDegree of Doctor ofPhilosophyinEngineering THEFOUNDATIONALSTUDYOFBOLOMETERMODEOF UNCOOLEDINFRAREDFOCALPLANEARRAY Ph.D.Candidate:Liu Shijian Major:Microelectronics and SolidStateElectronics Supervisor:Prof.华中科技大学博士学位论文 数值模拟结果和分析表明:选用Si0作桥面,采用四支撑脚结构对绝热性能有较大的 提高.但进一步采用两支撑脚结构却没有明显的提高.重点研究了硅微桥的各向异性腐蚀技术,探讨了硅在KOH中各向异性腐蚀的微观模 型.并计算出硅在KOH腐蚀液中,腐蚀液浓度为30 ,温度为70℃时,各晶面的理 论腐蚀速率:给出了制备出的形状规则,且具有一定的机械强度的硅微桥样品图。略 为讨论了上下电极和BST薄膜的刻蚀工艺。最后同信息产业部第四十四研究所协作做 出了8×8元非致冷红外探测阵列的原型样品。华中科技大学博士学位论文 According tothe thermodynamics,theheattransferin theinsulation structureis notarized macroscopicheat transfer.The equivalentmodels of siliconmicro-bridge in two dimensions are transferred from the substance modelsin the given conditions in order to developed, and the border conditions a
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